Component analyzer voor halfgeleiders

Bol Partner

"automatische identificatie van componenten automatische identificatie van aansluitpinnen identificatie van bijzonderheden zoals detectie van beveiligingsdiodes en shuntweerstanden bipolaire transistors: meting stroomversterking en stroomverlies, detectie van silicium of germanium meting drempelspanning voor verrijkingsmode-MOSFETs meting geleidingsspanning van diodes, leds en basis-emmiter juncties van transistors automatisch en handmatig uitschakelenSpecification Summary at 20\xb0C (68\xb0F) unless otherwise specified piekstroom bij kortsluiting (ISC): -5.5 mA tot 5.5 mA piekspanning bij open schakeling (VOC): -5.1 V tot 5.1 V transistor: versterkingsbereik (HFE): 4 - 65 000 versterkingsnauwkeurigheid: \xb1 3% \xb1 5 Hfe collector-emitter testspanning (VCEO): 2.0 V - 3.0 V nauwkeurigheid basis-emmiter spanning VBE: -2% -20 mV tot +2% + 20 mV basis-emmitterspanning VBE voor Darlington transistor (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V) basis-emmiter shuntweerstandsdrempel: 50 k&Omega, - 70 k&Omega, BJT collector teststroom: 2.45 mA - 2.55 mA BJT aanvaardbare lekstroom: 0.7 mA MOSFET: gate-source spanningsbereik: 0.1 V - 5.0 V drempelnauwkeurigheid: -2% -20 mV tot +2% + 20 mV drainstroom: 2.45 mA - 255 mA gate-weerstand: 8 k&Omega, drain verarmingsteststroom: 4.5 mA JFET drain-source testsspanning: 0.5 mA - 5.5 mA thyristor/Triac: gatestroom: 4.5 mA houdstroom: 5.0 mA diode: teststroom: 5.0 mA spanningsnauwkeurigheid: -2% -20 mV tot +2% + 20 mV geleidingsspanning voor LED identificatie: 1.50 V - 4.00 V kortsluitdrempel: 10 &Omega, batterij: type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline spanningsbereik: 7.50 V - 12 V alarmdrempel: 8.25 V afmetingen: 103 x 70 x 20 mm (4.1"" x 2.8"" x 0.8"") Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz) werktemperatuur: 0\xb0C~50\xb0C (32F ~ 122F)"

Amazon

automatische identificatie van componenten automatische identificatie van verbindingspinnen identificatie van bijzonderheden zoals detectie van beschermende diodes en detectie van shunt-weerstanden bipolaire transistors: meting van stroom- en lekstroom, detectie van siliciumdiode en germanium, drempelspanningsmeting voor verrijkende MOSFET's, directe spanningsmeting voor diodes, leds en basis-zender verbindingen van de ex-transistors ti Specificatie Summary bij 20°C (68°F) zonder andere gespecificeerde kortsluiting piekstroom uitgeschakeld: -5.5 mA tot 5.5 mA Permanente kortsluiting piekspanning: -5,1 V tot 5,1 V transistor: