Système d'hétérostructure tricouche sur isolant pour transistor à effet de champ: Technologies des nanodispositifs, vol I

Cet ouvrage traite du développement d'une nouvelle structure dans le domaine des nanomatériaux, grâce à une technologie d'hétérostructure à trois couches destinée à être mise en ¿uvre dans des dispositifs MOS. Une technologie de système à canal sous contrainte a été mise au point et mise en ¿uvre à l'échelle moléculaire avec des couches telles que Si sous contrainte/SiGe sous contrainte/Si sous contrainte, accompagnée d'une étude et d'une analyse détaillées de l'effet de contrainte sur le mécanisme d'alignement de bandes de type II intégré dans la fine couche de canal d'un FET. Cela a ainsi permis de mettre au point le système d'hétérostructure à trois couches sur isolant (HOI). Après l'intégration de ce système de canal HOI dans un MOSFET classique, les performances des dispositifs ont été analysées en fonction de paramètres électriques, de l'effet de contrainte de bande, du champ électrique, du dépassement de vitesse, de la mobilité et d'autres caractéristiques. Une mobilité électronique considérable liée à l'augmentation du nombre de porteurs a été observée, conduisant à un courant de drain supérieur ; ainsi, une amélioration des performances de 93 % a été obtenue par rapport aux MOSFET existants en Si/SiGe contraints de longueur de grille de 50 nm, pour le NanoFET HOI de longueur de canal de 30 nm.