Synthese und Charakterisierung von Oxidmaterialien

Diese Studie hilft Nachwuchsforschern, sich mit oxidischen Halbleitermaterialien und einigen ihrer Eigenschaften vertraut zu machen. Durch die Dotierung dieser beiden Materialien entstanden Indium-Zinn-Oxid-Materialien, die zahlreiche optoelektronische Anwendungen finden. Indium-Zinn-Oxid (In¿O¿:Sn) ist ein Halbleitermaterial vom n-Typ mit einer breiten Bandlücke. Bei Sauerstoffmangel werden sie leitfähig, während sie unter stöchiometrischen Bedingungen als Isolatoren fungieren. Die Widerstandsänderung bei Einwirkung einer gasförmigen Atmosphäre spielt bei der Nutzung dieser Materialien in der Gasdetektion eine entscheidende Rolle. Gasdetektionsmaterialien sollten eine große Oberfläche aufweisen, damit sich die Kontaktfläche zwischen den Körnern und den Gasmolekülen um ein Vielfaches vergrößert, was die Empfindlichkeit und Selektivität der Sensoren verbessert. In¿O¿, SnO¿ und In¿O¿:Sn wurden in Pulver-, Dickschicht- und Dünnschichtform als Gassensormaterialien eingesetzt, wobei sensorbasierte Elemente auf Pulverbasis eine einstufige Methode zur Herstellung kostengünstiger Sensoren bieten. Zu diesem Zweck müssen Pulver dieser Halbleiteroxide mit Nanokörnern mit großer spezifischer Oberfläche hergestellt werden.