Synthèse et caractérisation de matériaux à base d'oxyde

Cette étude aide les jeunes chercheurs à mieux comprendre les matériaux semi-conducteurs à base d'oxyde et certaines de leurs propriétés. Le dopage de ces deux matériaux a permis d'obtenir des matériaux à base d'oxyde d'indium-étain (In¿O¿:Sn), qui présentent de nombreuses applications optoélectroniques. L'oxyde d'indium-étain (In¿O¿:Sn) est un matériau semi-conducteur de type n doté d'une large bande interdite. En cas de déficit en oxygène, il devient conducteur, tandis qu'il se comporte comme un isolant dans des conditions st¿chiométriques. La variation de résistance lorsqu'il est exposé à une atmosphère gazeuse joue un rôle crucial dans les applications de détection de gaz de ces matériaux. Les matériaux de détection de gaz doivent présenter une grande surface spécifique afin que la zone de contact entre les grains et les molécules gazeuses soit multipliée, ce qui améliore la sensibilité et la sélectivité des capteurs. L'In¿O¿, le SnO¿ et l'In¿O¿:Sn ont été utilisés sous forme de poudre, de couche épaisse et de couche mince comme matériaux de détection de gaz ; parmi ceux-ci, les éléments de détection à base de poudre offrent un procédé en une seule étape pour la fabrication de capteurs à faible coût. À cette fin, les poudres de ces oxydes semi-conducteurs doivent être préparées avec des nanograins présentant une grande surface spécifique.