PbTe Kristall Sputtern und Wiederabscheidung von gesputterten Spezies

Name: PbTe Kristall Sputtern und Wiederabscheidung von gesputterten Spezies
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Bol Das Sputtern der Seitenflächen von PbTe-Kristallen, die nach dem Bridgman-Verfahren aus der Schmelze gezogen wurden, mit Ar-Plasma unter den Bedingungen der sekundären neutralen Massenspektrometrie wird untersucht. Es werden neue Phänomene vorgestellt: aperiodische Schwankungen der Pb- und Te-Sputterraten, eine enorme Präferenz für Te-Sputterung, die zu Beginn des Sputterprozesses mehr als zwei Größenordnungen erreicht, und ein signifikanter Überschuss der integrierten Te-Sputterausbeute gegenüber der von Pb bei längerer Sputterung mit Plasma niedriger Energie (50-160 eV). Die Zusammenhänge zwischen den Merkmalen des PbTe-Kristalloberflächensputterns und den Prozessen der Wiederabscheidung der gesputterten Spezies auf der Sputteroberfläche werden aufgezeigt. Es wird geschlossen, dass die Bildung und das erneute Sputtern der subkritischen Keime der neuen Phase zu Schwingungen der Sputterausbeuten von Pb und Te führen. Die Bildung der rückgesputterten Oberflächenstrukturen postkritischer Größen führt zu Änderungen der durchschnittlichen Größen der Pb- und Te-Sputterausbeuten. Die Besonderheiten der Ladungszustände des interstitiellen Pb und Te in der PbTe-Kristallmatrix sind auf das starke bevorzugte Sputtern von Te durch die Ar+-Ionenstrahlen niedriger Energie zurückzuführen.

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Das Sputtern der Seitenflächen von PbTe-Kristallen, die nach dem Bridgman-Verfahren aus der Schmelze gezogen wurden, mit Ar-Plasma unter den Bedingungen der sekundären neutralen Massenspektrometrie wird untersucht. Es werden neue Phänomene vorgestellt: aperiodische Schwankungen der Pb- und Te-Sputterraten, eine enorme Präferenz für Te-Sputterung, die zu Beginn des Sputterprozesses mehr als zwei Größenordnungen erreicht, und ein signifikanter Überschuss der integrierten Te-Sputterausbeute gegenüber der von Pb bei längerer Sputterung mit Plasma niedriger Energie (50-160 eV). Die Zusammenhänge zwischen den Merkmalen des PbTe-Kristalloberflächensputterns und den Prozessen der Wiederabscheidung der gesputterten Spezies auf der Sputteroberfläche werden aufgezeigt. Es wird geschlossen, dass die Bildung und das erneute Sputtern der subkritischen Keime der neuen Phase zu Schwingungen der Sputterausbeuten von Pb und Te führen. Die Bildung der rückgesputterten Oberflächenstrukturen postkritischer Größen führt zu Änderungen der durchschnittlichen Größen der Pb- und Te-Sputterausbeuten. Die Besonderheiten der Ladungszustände des interstitiellen Pb und Te in der PbTe-Kristallmatrix sind auf das starke bevorzugte Sputtern von Te durch die Ar+-Ionenstrahlen niedriger Energie zurückzuführen.

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