Pastilhas policristalinas de silício a partir pó para células solares

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Bol O livro é dedicado à análise experimental de um novo método de obtenção de pastilhas de silício a partir de matérias-primas em pó, destinadas a serem utilizadas como material de base para células solares. Até agora, a tecnologia de obtenção de pastilhas de silício a partir de pó não tinha sido considerada como uma alternativa para a produção de pastilhas de base para células solares e substratos para películas. As pastilhas de silício policristalino obtidas por um método de moldagem e conformação a partir de pó, bem como as estruturas fotoelétricas com junção p-n formadas com base nas mesmas, e ainda as características eletrofísicas e fotoelétricas das placas e estruturas e os processos de transporte de carga nas mesmas por fotoexcitação constituem o objeto principal da investigação. As características eletrofísicas das pastilhas investigadas e as características fotoelétricas das estruturas são medidas em bancadas normalizadas. A impureza da estrutura nos pontos de fusão e nos limites dos grãos do poli-Si é definida pelo espectroscópio 'Cameca'. A análise teórica do processo de transporte de carga nas estruturas de poli-Si será realizada de acordo com a teoria bem conhecida da física de dispositivos semicondutores com junção p-n plana.

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O livro é dedicado à análise experimental de um novo método de obtenção de pastilhas de silício a partir de matérias-primas em pó, destinadas a serem utilizadas como material de base para células solares. Até agora, a tecnologia de obtenção de pastilhas de silício a partir de pó não tinha sido considerada como uma alternativa para a produção de pastilhas de base para células solares e substratos para películas. As pastilhas de silício policristalino obtidas por um método de moldagem e conformação a partir de pó, bem como as estruturas fotoelétricas com junção p-n formadas com base nas mesmas, e ainda as características eletrofísicas e fotoelétricas das placas e estruturas e os processos de transporte de carga nas mesmas por fotoexcitação constituem o objeto principal da investigação. As características eletrofísicas das pastilhas investigadas e as características fotoelétricas das estruturas são medidas em bancadas normalizadas. A impureza da estrutura nos pontos de fusão e nos limites dos grãos do poli-Si é definida pelo espectroscópio 'Cameca'. A análise teórica do processo de transporte de carga nas estruturas de poli-Si será realizada de acordo com a teoria bem conhecida da física de dispositivos semicondutores com junção p-n plana.


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  • 9786209930041
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