Optymalizacja parametr�w elektrycznych (CNTFET)

W sektorze elektroniki zapotrzebowanie na doskonalenie technologiczne stale ro¿nie. Do tej pory najpopularniejszym materiäem spe¿niaj¿cym obecne wymagania by¿ krzem. Jednak¿e krzem ma swój w¿asny zestaw ogranicze¿; krzemowe uk¿ady scalone i skalowanie konstrukcji krzemowych MOSFET-ów stawiaj¿ czo¿a takim problemom, jak efekt tunelowania, wp¿yw grubo¿ci tlenku bramki itd., co doprowadzi¿o do opracowania materiäów alternatywnych. Rosn¿ce zainteresowanie naukowców nanorurkami w¿glowymi (CNT) jako mo¿liwym nowym typem materiäu elektronicznego zaowocowäo znacznym post¿pem w fizyce CNT, w tym balistycznych i niebalistycznych w¿äciwo¿ciach transportu elektronów. Transport o niskim odchyleniu w nanorurce mo¿e by¿ benearyczny balistyczny na odleg¿o¿ci kilkuset nanometrów. Dla niebalistycznych tranzystorów CNT stworzono rozszerzone modele na poziomie obwodu, które mog¿ wychwytywä zarówno balistyczne, jak i niebalistyczne zjawiska transportu elektronów, w tym efekty spr¿¿ysto¿ci, rozpraszania fononów, odksztäce¿ i tunelowania. W naszej sekcji wyników zbadali¿my wp¿yw grubo¿ci tlenku bramki na dziäanie niebalistycznych CNTFET.