Modelação de dispositivos e caraterização híbridos
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Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade, são necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas, e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na região sublimiar. A medição de correntes na região do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutação elevada, é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propõe um dispositivo híbrido com um valor SS < 25 mV/Dec. O Synopsis Centaurus TCAD é utilizado nesta tese para a modelação e caraterização do dispositivo.
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(2)
Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade, são necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas, e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na região sublimiar. A medição de correntes na região do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutação elevada, é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propõe um dispositivo híbrido com um valor SS < 25 mV/Dec. O Synopsis Centaurus TCAD é utilizado nesta tese para a modelação e caraterização do dispositivo.
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