Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid Einkristallen

Name: Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid Einkristallen
SKU: 5f8fd5234eb47479385f972246d88f53
Price: 53.99 EUR
Availability: InStock

1/1

Afbeelding van Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid Einkristallen

Bol

Prijzen vanaf

53,99

Uitgelicht

	53,99	Naar shop
VERGELIJK ALLE AANBIEDERS (1)

Beschrijving

Bol Lite raturve rz eichnis 47 58 Abbildungen 86 Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5 - 1 - Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid - Einkristallen Die vorliegende Arbeit berichtet tiber Versuche zur Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen und tiber Materialuntersuchungen an solchen Halbleiterkristallen. Als Kristallzuchtverfahren wird das GREMMELMAIER-Verfahren behandelt +) - 1m Mittelpunkt der Ma- terialuntersuchungen stehen Messungen der Tragerlebensdauer an Epitaxieschichten. 1. Einleitung Galliumarsenid geh6rt zur Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter, tiber deren Eigenschaften NELKER [1 J im Jahre 1952 zuerst be- richtet hat. Die Eigenschaften von Galliumarsenid haben zur Ent- wicklung einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen W 'fiihrt (Abb. 1) [3 - 10, 12J. In der Herstellung von Bauelementen steht die Praparation von Ein- kristallen am Anfang einer Reihe von Verfahrensschritten (Abb. 2). Daher werden an die kristallographischen und elektrischen Eigenschaften dieser Kristalle besonders-hohe Anforderungen gestellt. Zur wirtschaftlichen Herstellung von Einkristallen werden vorzugsweise Kristallisationsverfahren aus einer st6chiometrischen Schmelze verwendet: 1. Das BRIDGMAN -Verfahren: Hier wird die Schmelze durch einen steilen Temperaturgradienten gefahren. 2. Das NACKEN-KYROPOULOS-Verfahren: Hier wird ein gektihlter Keimkristall in die Schmelze getaucht. 3. Das CZOCHRALSKI-Verfahren: Hier wird ein Keimkristall lang- sam aus der Schmelze herausgezogen [11].

Lees meer

Vergelijk aanbieders (1)

Sorteren op:

€ 53,99 Gratis verzending

Beschrijving (1)

Lite raturve rz eichnis 47 58 Abbildungen 86 Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5 - 1 - Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid - Einkristallen Die vorliegende Arbeit berichtet tiber Versuche zur Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen und tiber Materialuntersuchungen an solchen Halbleiterkristallen. Als Kristallzuchtverfahren wird das GREMMELMAIER-Verfahren behandelt +) - 1m Mittelpunkt der Ma- terialuntersuchungen stehen Messungen der Tragerlebensdauer an Epitaxieschichten. 1. Einleitung Galliumarsenid geh6rt zur Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter, tiber deren Eigenschaften NELKER [1 J im Jahre 1952 zuerst be- richtet hat. Die Eigenschaften von Galliumarsenid haben zur Ent- wicklung einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen W 'fiihrt (Abb. 1) [3 - 10, 12J. In der Herstellung von Bauelementen steht die Praparation von Ein- kristallen am Anfang einer Reihe von Verfahrensschritten (Abb. 2). Daher werden an die kristallographischen und elektrischen Eigenschaften dieser Kristalle besonders-hohe Anforderungen gestellt. Zur wirtschaftlichen Herstellung von Einkristallen werden vorzugsweise Kristallisationsverfahren aus einer st6chiometrischen Schmelze verwendet: 1. Das BRIDGMAN -Verfahren: Hier wird die Schmelze durch einen steilen Temperaturgradienten gefahren. 2. Das NACKEN-KYROPOULOS-Verfahren: Hier wird ein gektihlter Keimkristall in die Schmelze getaucht. 3. Das CZOCHRALSKI-Verfahren: Hier wird ein Keimkristall lang- sam aus der Schmelze herausgezogen [11].

Lees meer