Controlo do envelhecimento dos transístores de potência

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Bol Este livro apresenta um estudo experimental aprofundado do comportamento dos transístores SiC JFET para aplicações aeroespaciais exigentes. É descrita uma metodologia completa, incluindo a conceção de um banco de ensaios automatizado utilizando LabView, testes de robustez para determinar a energia crítica e testes de envelhecimento acelerado para monitorizar as alterações nos parâmetros eléctricos. Os resultados obtidos evidenciam indicadores de degradação fiáveis e abrem perspectivas interessantes para a conceção de sistemas electrónicos mais resistentes em ambientes extremos.

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Este livro apresenta um estudo experimental aprofundado do comportamento dos transístores SiC JFET para aplicações aeroespaciais exigentes. É descrita uma metodologia completa, incluindo a conceção de um banco de ensaios automatizado utilizando LabView, testes de robustez para determinar a energia crítica e testes de envelhecimento acelerado para monitorizar as alterações nos parâmetros eléctricos. Os resultados obtidos evidenciam indicadores de degradação fiáveis e abrem perspectivas interessantes para a conceção de sistemas electrónicos mais resistentes em ambientes extremos.

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