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Conception et modélisation de nanostructurés transistors: GAAs à semi-conducteurs sans jonction

Name: Conception et modélisation de nanostructurés transistors: GAAs à semi-conducteurs sans jonction
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Cet ouvrage présente la conception et la modélisation de transistors à effet de champ (FET) ' Gate-All-Around ' sans jonction, développés à partir de semi-conducteurs composés. Ces dispositifs sont conçus avec des longueurs de grille variant de 20 nm à 10 nm. Les travaux portent principalement sur les semi-conducteurs III-V, en particulier les composés ternaires tels que les nanofils d'InGaAs, d'InGaN et d'InGaP. Une analyse des paramètres électriques est réalisée pour tous les dispositifs et comparée à celle des dispositifs existants. De plus, l'analyse thermique et les performances des transistors GAA à nanofils sans jonction sont étudiées. L'impact des biomolécules neutres sur les dispositifs à nanofils semi-conducteurs est également analysé en vue d'applications de biodétection.

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